「不揮発メモリ」に関連した動画の一覧

	不揮発性ロジックインメモリ回路による高速で低消費電力の集積回路を  2011年05月09日再生回数 302
	FRAM マイコン  FRAM（強誘電体ランダム・アクセス・メモリ）は、次世代の不揮発性メモリ・テクノロジーを率先するもので、厳選された MSP430 マイコンに組込まれています。組込み FRAM は、より高速で低消費電力な、小型化されたフォーム・ファクタを実現します。 2011年12月19日再生回数 39
	コピー品の流通を防ぐ「FRAM認証ソリューション」 : DigInfo  DigInfo TV - jp.diginfo.tv 2010 富士通セミコンダクターFRAM認証チップ 2010年12月13日再生回数 26960
	強磁性半導体によるスピントロニクス・デバイスの開発  [慶應スピントロニクス 研究連携先 - 大野研究室 , 東北大学] 東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設では、大野英男教授を中心に半導体と磁性体の両方の性質を合わせ持つ強磁性半導体の基礎研究に取り組んでいます。 Q「半導体とそれから磁性体、つまり集積回路を作る材料とハードディスクを作る材料というのは別々なものですけども中を考えていくと同じ電子の違う側面を使ってると。電気を使っているという事と小さな磁石であるという事を別々に使ってると。じゃあ一緒にしてみたらば新しい機能、あるいは新しい現象というものが我々がいうような形として現象が見えてくるんじゃないかと。」 今まで個別に研究が進められていた半導体と磁性体の性質を合わせ持つ強磁性半導体の開発が進めば、電荷を使わない高性能不揮発メモリや再構成が可能な論理回路等への応用が可能になると期待されています。 大野英男研究グループで研究を進める松倉准教授はその基礎研究として、Ⅲ-Ⅴ属化合物半導体の中でもガリウムひ素やインジウムひ素といった材料に着目し、磁性元素であるマンガン元素をドーピングし強磁性を発現させる研究開発をおこなっています。 Q「そもそも強磁性半導体というものは我々が開発した材料で、実際何に使えるか分からないまま研究を進めてきました。で色んな方々を交流をとって、ああこういう事に使えるんじゃないか、ああいう事に使えるんじゃないかという事で研究を進めてます。 それはもちろん材料作製だけじゃなくて実際に素子に加工して将来どういう応用の可能性があるかという事も探索してます。」 磁性の研究開発に長い歴史と膨大な知識を持つ東北大学 電気通信研究所では、スピントロニクスの未来を支える強磁性半導体の研究開発にも多くの学生が参加しています。 Q「僕たちが ... 2010年07月15日再生回数 1962
	東北大学 白井研究室：高スピン偏極材料磁気抵抗素子の電気伝導  [慶應スピントロニクス 研究連携先 - 白井研究室 , 東北大学] 東北大学電気通信研究所の白井正文研究室では、高機能なスピントロニクス素子を実現するため、高スピン偏極材料を用いた磁気抵抗素子の電気伝導に関する理論研究に取り組んでいます。 ON： 今のパソコンに入っているハードディスクドライブだとか、将来の不揮発性磁気メモリには磁性体と絶縁体を組み合わせたトンネル磁気抵抗素子というデバイスが使われています。で、その性能を将来高めて行くためにどういった材料を使えばいいかとか、どういう風に組み合わせていけば、デバイスの性能が良くなるかというのを理論計算の方から予測して実験家に新しいデバイスを作る指針を提供する、それが我々の研究の目的になります。 NA： 磁性体を使った不揮発性メモリを将来高集積化していくためには、磁性体の磁極の向きを膜面に対して垂直に向けることが、重要なテクノロジーになると考えられています。 例えば、垂直材料である鉄白金という磁性体と酸化マグネシウムという酸化物を組み合わせた場合は、読み出しのための出力がそれほど大きくならないことが理論計算上判明しています。これらの改善策として、白井研究室では、鉄白金と酸化マグネシウムの間にごく薄い数原子層の鉄を挿入した場合、高い出力を得られる理論計算を打ち出しました。 ON： 鉄を挿入するといっても酸化マグネシウムの片側に挿入すればいいのか、それとも両側に挿入すればいいのか、もしくは何原子層くらいに挿入すれ非常に高い出力が得られるのかということに関して、l理論計算の方からその指針が得られる。で、我々の計算結果ですと必ず鉄の挿入は酸化マグネシウムの両側に挿入しなければ高い出力は得られないということが予測されています。 しかし、実は数原子層、実際にこの ... 2011年01月31日再生回数 736
	スピントロニクス技術で新たな半導体テクノロジーを切り拓く  [慶應スピントロニクス 研究連携先 - 田中研究室 , 東京大学] 東京大学 田中研究室では、電子のスピン機能を活用した21世紀の新しいエレクトロニクスを担うスピントロニクスの開発研究に力を入れ、世界をリードする研究を展開しています。 Q「今、私達が使っているコンピューターはシリコンLSIで出来ていますが、シリコンのLSIというのはシリコンのトランジスタで出来ていて、非常に極限にまで微細化したデバイスが使われています。しかし、その微細化の限界が近づいていまして、微細化していきますと消費電力は非常に増える一方であったり、あるいはその微細化するとコストがかかったり、物理的にも経済的にも限界に近づいています。」 これまでエレクトロニクスや情報通信技術を支えてきた半導体においては電子の電荷のみが利用されてきましたが、田中研究室では電子の持つもう一つの自由度である「スピン」を用いることによって新しいエレクトロニクスのパラダイムを作り出そうとしています。 スピンは古典力学で言えば電子の自転になります。この自転は決して止まることがないので、電子はそれ自身が世界最小の磁石であると言えます。このスピンの向きを制御する事により強磁性を発現させたりスピンを制御することが、スピントロニクス技術の大きな鍵となります。 Q「磁性体においては電子のスピンが揃った状態、それが強磁性の状態ですけれども、それを使っているわけです。強磁性を使いますと、高密度の記録媒体というのが出来ます。そのひとつは、コンピューターで使われているハードディスク、それから次世代の不揮発性メモリーとして期待されているMRAMという不揮発性記憶デバイスがあります。 それから、半導体だけでは出来なかった磁気光学効果を使ったデバイス、これは光通信であるとか、光情報 ... 2010年11月15日再生回数 1513
	ユビキタス情報社会の基盤となる新機能素子をめざして  [慶應スピントロニクス 研究連携先 - 産業技術総合研究所] 産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター半導体スピントロニクスチームでは、電子の持つ磁石の性質を用いることにより、次世代情報通信に必要な革新的素子の実現を目指しています。 将来の高度IT社会を支える技術として、電子の電荷とスピン両方の性質を同時に取り入れて、現行のシリコンを用いた半導体デバイスでは実現できない新機能素子の実現を図るスピントロニクス技術が大きく注目されています。 電子は負の電荷を持つとともに電子スピンという小さな磁石としての性質を持ち合わせています。固体中の電子の電荷を用いて有用な機能を創り出してきた分野が電子工学です。一方、電子スピンのみを用いてきたのが磁気工学の分野でした。これらの分野は共に、現代のIT社会に欠くことのできない基盤技術を担っていますが、それ故に技術の成熟と飽和が危惧されています。 これに対し、スピントロニクスとは、固体中の電子の持つ電荷と電子スピンの両方を活用して、新しい機能を持った電子デバイスを実現する分野です。 Q「具体的にはスピントランジスタというデバイスの研究をしています。現在のパソコンなどのエレクトロニクス機器の中には、半導体のトランジスタが入っています。そのトランジスタを使って情報処理をしているのですが、残念ながらトランジスタは電気を切ってしまうと、情報が一切失われてしまいます。これを揮発性といいます。そこで磁石を思い浮かべて欲しいのですが、磁石は外から力を加えなくても情報を保持することができるので、磁石の力と半導体を組み合わせてエネルギーをできるだけ少なくして、かつ情報を保持するというデバイスがスピントランジスタと呼ばれるものです。必ずしも今すぐにできるというものでは ... 2010年05月12日再生回数 509
	鉄が持つ磁石としての性質を利用した新しいメモリの実現  [慶應スピントロニクス 研究連携先 - 鈴木研究室 , 大阪大学] 大阪大学基礎工学研究科の鈴木スピントロニクスグループでは、鉄が持つ磁石としての性質を利用した新しいメモリの実現を目指して研究を行っています。 原子は原子核と電子から構成されますが、電子は電荷と同時にスピンという磁石としての性質を示します。この小さな磁石を、他の物質に液体のように注ぎ込むことをスピン注入といい、その流れをスピン流と呼びます。 Q「このスピン流を使って、例えばウイルスと同じ位の非常に小さな鉄の素子を作って、その素子にこのスピンを流しこむと鉄の磁石の向きを変えることができます。これは非常に小さなメモリ素子になります。このような研究を国家プロジェクトとして企業と一緒にしています。また、鉄以外にもシリコン、ダイヤモンド、分子、特に最近流行のグラフェンといった新しい物質にこのスピンを流し込むといった研究をしています。」 分子材料には様々な種類がありますが、研究室では特にグラフェンやフラーレンといった材料に注目しています。 Q「グラフェンはご覧のように、炭素だけから出来ています。炭素は非常に軽い元素です。この軽い元素の中に電子のスピンを入れるとスピンが散乱されにくいという特徴があります。それ故にこういった炭素材料を研究しています。もう一つグラフェンが良いのは、普通は非常に極低温にしないと効果が得にくいのですが、我々は室温で効果が得られるというのを見いだしました。」 磁石を使ったメモリでは、磁石のNとSの向きをデジタル情報の0と1に対応させて利用します。この動作を実現するには、ナノスケールの非常に小さい磁石の向きをどれだけ小さな消費電力で反転させるかが重要なキーテクノロジーとなります。 最近鈴木研究室では、スピン注入を用いた ... 2010年03月15日再生回数 2960